⑴ Virsmas rūdīšana:
Vai tērauda virsma tiek ātri uzkarsēta līdz augstākajai kritiskajai temperatūrai, bet siltumam pirms straujas dzesēšanas nav bijis laika izplatīties uz serdi, lai virsmas slānis varētu dzēst martensīta audos un serde nav pakļauta fāzes transformācija, kas realizē virsmas sacietēšanu un kodolu nemainīgu.Piemērots vidēja oglekļa tēraudam.

⑵ Ķīmiskā termiskā apstrāde:
Attiecas uz ķīmiskā elementa atomiem ar atomu difūzijas spēju augstā temperatūrā, tas nonāk sagataves virsmas slānī, lai mainītu sagataves virsmas slāņa ķīmisko sastāvu un struktūru, lai iegūtu tērauda virsmas slāni. ar īpašām termiskās apstrādes procesa organizēšanas un veikšanas prasībām.Saskaņā ar infiltrācijas elementu veidiem ķīmisko termisko apstrādi var iedalīt karburēšanas, nitrīdēšanas, cianidēšanas un metāla infiltrācijas likumā.
Carburizing: Carburizing ir process, kurā oglekļa atomi iekļūst tērauda virsmas slānī.Ir arī izgatavot zema oglekļa tērauda apstrādājamo detaļu ar augstu oglekļa tērauda virsmas slāni un pēc tam pēc dzesēšanas un zemas temperatūras rūdīšanas, lai sagataves virsmas slānim būtu augsta cietība un nodilumizturība, bet sagataves vidusdaļa joprojām saglabātu zema oglekļa tērauda stingrība un plastiskums.
Nitrēšana vai nitrēšana ir process, kurā tērauda virsmas slānis iekļūst slāpekļa atomos.Mērķis ir uzlabot virsmas slāņa cietību un nodilumizturību, kā arī uzlabot noguruma izturību un izturību pret koroziju.Šobrīd ražošanā tiek izmantota gāzes nitrēšanas metode.
Cianidēšana, kas pazīstama arī kā karbonitridēšana, ir vienlaicīga oglekļa un slāpekļa atomu infiltrācija tēraudā.Tas padara tērauda virsmu ar karburēšanas un nitrēšanas īpašībām.
Metāla iespiešanās: attiecas uz metāla atomu iekļūšanu tērauda virsmas slānī.Tas ir paredzēts, lai virsmas slānis būtu leģēts no tērauda, ​​lai sagataves virsmai būtu leģētais tērauds, īpašas tērauda īpašības, piemēram, karstumizturība, nodilumizturība, izturība pret oksidēšanu, izturība pret koroziju utt. Parasti izmanto ražošanā aluminizēšana, hromēšana, borizēšana, silīcijs un tā tālāk.