ကြီးမားသော သတ္တုစပ်များ နှင့် သတ္တုစပ်သံမဏိအတုများကို အဓိကအားဖြင့် သံမဏိ ingot ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ သံမဏိ ingot ၏ သတ်မှတ်ချက်အရ သေးငယ်သော ingot ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။ယေဘူယျအားဖြင့် ဒြပ်ထုသည် 2t ~ 2.5t ထက် ကြီးသည်၊ အချင်း 500mm ~ 550mm ထက် ကြီးသော ingot ဟုခေါ်သည်၊ အခြား သေးငယ်သော ingot ဖြစ်သည်။

အပူချိန် 500 ℃ အောက်တွင်ရှိသော အအေးခံပလပ်စတစ်များကို 500 ℃ အောက်တွင် အပူပေးထားသော အအေးခံပလပ်စတစ်ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည့်အခါ အပူပေးမီးဖို၏ အပူချိန်မတိုင်မီ အသုံးပြုသည့် နှိပ်၍ အတုလုပ်ခြင်း နှိပ်ခြင်းအား အအေးခံခြင်း (ယေဘုယျအားဖြင့် အခန်းအပူချိန်အတွက်) နှင့် ဖွဲ့စည်းထားခြင်းဖြစ်သည်။ ပုံဆောင်ခဲဖြစ်စဉ်တွင် ingot နှင့် ကျန်ရှိသော stress နှင့် temperature stress direction တို့သည် တစ်သျှူးချို့ယွင်းချက် အမျိုးမျိုးတို့သည် စိတ်ဖိစီးမှုအာရုံစူးစိုက်မှုကို ဖြစ်စေမည်၊ misalignment heating specification သည် အက်ကွဲရန်လွယ်ကူသည်။ထို့ကြောင့် အအေးခန်းအပူပေးခြင်း၏ အပူချိန်နိမ့်သည့်အဆင့်တွင်၊ သယ်ဆောင်သည့်အပူချိန်နှင့် အပူအမြန်နှုန်းကို ကန့်သတ်ထားသင့်သည်။
၎င်း၏ကြီးမားသောအပိုင်းအရွယ်အစားကြောင့် ကြီးမားသောအပိုင်းအရွယ်အစားကြောင့် ကြီးမားသောအပူပေးခြင်းသည် သေးငယ်သော ingot strength နှင့် plasticity အားနည်းခြင်းတို့နှင့်အတူ ပေါင်းထည့်ခြင်းကြောင့် အပူချိန်ဖိမိခြင်းသည် အပူသောအခါတွင် ကွဲအက်ရန်လွယ်ကူပါသည်။ မီးဖို၏အပူချိန်သည် အလွန်မြင့်မားမနေနိုင်ပါ၊ အပူအမြန်နှုန်းကိုလည်း ဖြည်းညှင်းစွာလုပ်ဆောင်သင့်သည်။ဥပမာအားဖြင့်၊ ကာဗွန်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသံမဏိနှင့်အလွိုင်းဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသံမဏိအတွက်၊ မီးဖိုအပူချိန်သည် ယေဘူယျအားဖြင့် 350 ℃ ~ 850 ℃၊ တွင်းပေါက်အရွယ်အစားသည် သေးငယ်သည်၊ မီးဖိုအပူချိန်သည် ကြီးမားပြီး လျှပ်ကာဖြစ်သည်။မြန်နှုန်းမြင့်သံမဏိကဲ့သို့သော သတ္တုစပ်သံမဏိများအတွက် မြင့်မားသောခရိုမီယမ်သံမဏိသည် အပူပေးသောအခါတွင် အက်ကွဲလွယ်သည်၊ မီးဖိုအပူချိန်ကို 400 ℃ ~ 650 ℃ တွင် ထိန်းချုပ်သင့်သည်။အပူချိန် 850 ဒီဂရီ စင်တီဂရိတ်ထက် မြင့်မားသောအခါ အပူချိန် ကွာခြားမှု ကြီးမားလွန်းသော အတွင်းနှင့် အပြင်ဘက်တွင် အတုအယောင်များ ဖြစ်ပေါ်ခြင်းမှ ရှောင်ရှားနိုင်ရန် ပိုးကောင်အား အမြန်အမြန်နှုန်းဖြင့် အပူပေးနိုင်သည်။ဥပမာအားဖြင့်၊ ကာဗွန်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာသံမဏိနှင့်သတ္တုစပ်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသံမဏိကိုအတုလုပ်ခြင်းသည် 50 ℃နှင့် 100 ℃အကြားအပူချိန်ကွာခြားမှုကိုခွင့်ပြုသည်။
သေးငယ်သော သံမဏိ ingot ကို အပူပေးသောအခါ ၎င်း၏သေးငယ်သော အပိုင်းအရွယ်အစားကြောင့်၊ အပူကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ကျန်ရှိသော ဖိစီးမှုနှင့် အပူချိန်ဖိစီးမှုသည် ကြီးမားခြင်းမရှိပါ၊ ထို့ကြောင့် ကာဗွန်ကြိုးစတီးလ်နှင့် အနိမ့်အလွိုင်းစတီးလ်များအတွက် အပူနှုန်းမြန်နိုင်သည်၊ အတုပြုလုပ်ရာတွင် အပူပေးသတ်မှတ်ချက်ကို အသုံးပြုသည်။သေးငယ်သောအလွိုင်းသံမဏိ ingot များအတွက်၊ ၎င်း၏အပူချိန်နိမ့်ကျသောအပူစီးကူးမှုညံ့ဖျင်းပြီးကြီးမားသောအအေးပေါက်သည့်အပူပေးခြင်းကြောင့်၊ multi-stage heating specifications များကိုအသုံးပြု၍ ကွက်လပ်များကို 700 ℃ ~ 1000 ℃အပူချိန်မီးဖိုတွင်တပ်ဆင်နိုင်သည်။
အပူပေးချိန်ကို တိုစေကာ လောင်စာဆီ သက်သာစေရန်အတွက် ထုတ်ယူပြီးနောက် စတီးဝပ်ရှော့မှ သံမဏိတွင်းကြီးများကို အတုပြုလုပ်သည့် အလုပ်ရုံ မီးဖိုသို့ တိုက်ရိုက် ပေးပို့ကာ ပူပြင်းသော သံမဏိ ingot ဟုခေါ်သော ဤကဲ့သို့သော သံမဏိ ingot အမျိုးအစားဖြစ်သည်။ပူပြင်းသော မီးဖိုထဲတွင် အားသွင်းသည့်အခါ မျက်နှာပြင် အပူချိန် 550 ℃ ~ 650 ℃ ၊ ကောင်းမွန်သော ပလပ်စတစ် အခြေအနေတွင် ပူနေသောကြောင့် အပူချိန်ဖိစီးမှု နည်းပါးသောကြောင့် မီးဖို၏ အပူချိန်သည် ingot အရွယ်အစားနှင့် ပစ္စည်း ကွဲပြားမှုပေါ်မူတည်၍ မီးဖိုအပူချိန်ကို မြှင့်တင်နိုင်သည်၊ သာမန်အားဖြင့် 800 ℃ ~ 1000 ℃ မီးဖိုထဲတွင်ရှိရမည်၊ အသေးစား ingot မီးဖိုအပူချိန်သည် အကန့်အသတ်မရှိနိုင်သည်၊ အားသွင်းပြီးနောက် အကြီးမားဆုံးအပူပေးသည့်အပူပေးသည့်အမြန်နှုန်းတစ်ခုဖြစ်သည်။